RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Porównaj
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
66
Prędkość odczytu, GB/s
18.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3334
1953
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link