RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
29
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3536
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K821PJ-MID 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link