RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2616
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link