RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2636
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link