RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2594
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link