RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link