RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
4217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link