RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
72
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
72
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link