RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3205
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link