RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3807
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link