RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2776
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
UMAX Technology 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link