RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
65
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3054
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link