RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3729
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link