RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
3579
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link