RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
73
Wokół strony -329% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
17
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
3702
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link