RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Porównaj
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
47
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2128
3413
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link