RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Porównaj
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
3680
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link