RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
60
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
5.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
32
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.4
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1411
3579
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link