Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

Wynik ogólny

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Wynik ogólny

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

5 19.9

Średnia wartość w badaniach

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 50

Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.9 1,905.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 6400

Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

50 24
Prędkość odczytu, GB/s

5,143.3 19.9
Prędkość zapisu, GB/s

1,905.1 15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps

6400 17000

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

855 3779

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB