RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
92
Wokół strony -283% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1633
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link