RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
72
Wokół strony -140% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2716
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link