RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2350
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link