RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2843
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link