RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2552
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 5641160 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link