RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3116
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link