RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
71
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
69
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1992
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link