RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2783
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link