RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3911
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link