RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2797
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link