RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2379
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link