RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
60
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2589
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link