RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3905
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link