RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3147
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-8GZH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link