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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
3,405.2
17.6
写入速度,GB/s
2,622.0
13.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3147
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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