RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1254
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link