RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2860
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link