RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3705
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link