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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
17.6
写入速度,GB/s
2,622.0
15.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3705
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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