RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
74
77
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
74
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1679
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link