RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
74
77
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
74
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1679
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link