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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
74
77
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
74
读取速度,GB/s
3,405.2
13.9
写入速度,GB/s
2,622.0
7.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1679
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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