RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3437
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link