RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3437
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905402-416.A00LF 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905316-131.A00LF 1GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link