RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3437
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link