RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
77
Wokół strony -305% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3066
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link