RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
77
Wokół strony -305% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3066
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link