RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
94
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
94
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1390
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link