RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3135
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5270DH0-YH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link