RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4022
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link