RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3537
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link