RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3568
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link