RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3524
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link