RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3014
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link