RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3480
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link